RSS

Dlaczego każdy procesor podkręca się inaczej

Liczba odsłon: 805

Jednym z py­tań częs­to za­da­wa­nych na gru­pach dys­ku­syj­nych jest „czy ten pro­ce­sor do­brze się pod­krę­ca”. To zro­zu­mia­łe, że ktoś ku­pu­ją­cy no­wy pro­ce­sor z myś­lą o tak­to­wa­niu go z częs­to­tli­woś­cią więk­szą niż no­mi­nal­na chce mieć pew­ność, że in­wes­tyc­ja się opła­ci. Problem w tym, że na ta­kie py­ta­nie bar­dzo trud­no jest udzie­lić do­brej od­po­wie­dzi. Lektura po­niż­sze­go tek­stu po­zwo­li Ci do­wie­dzieć się dla­cze­go.

Główną przy­czy­ną, dla któ­rej częs­to nie da się do­brze od­po­wie­dzieć na po­wyż­sze py­ta­nie, jest nie­zwyk­ła róż­no­rod­ność, z ja­ką pod­da­ją się pod­krę­ca­niu nie tyl­ko po­szcze­gól­ne mo­de­le pro­ce­so­rów czy na­wet ich se­rie, ale też kon­kret­ne eg­zem­pla­rze ukła­dów. Dwa mi­kro­pro­ce­so­ry z te­go sa­me­go ty­god­nia pro­duk­cji mo­gą róż­nić się dia­met­ral­nie sto­pniem moż­li­we­go pod­krę­ce­nia: je­den mo­że dać się pod­krę­cić o 50%, pod­czas gdy dru­gi nie bę­dzie pra­co­wał sta­bil­nie na­wet po pod­nie­sie­niu częs­to­tli­woś­ci tak­to­wa­nia o 200 czy 300 MHz.

Walce krzemoweAby wy­jaś­nić przy­czy­ny ta­kie­go za­cho­wa­nia, trze­ba cof­nąć się do mo­men­tu, w któ­rym nasz hi­po­te­tycz­ny mi­kro­pro­ce­sor nie zo­stał jesz­cze wy­pro­du­ko­wa­ny i omó­wić tech­no­lo­gię wy­twa­rza­nia ukła­dów sca­lo­nych. Wszystko za­czy­na się od wiel­kie­go krze­mo­we­go wal­ca, któ­ry ma być w teorii ideal­nie czys­tym, ol­brzy­mim mono­krysz­ta­łem. Ponie­waż trud­no jest uzys­kać krysz­tał o śred­ni­cy kil­ku­dzie­się­ciu cen­ty­me­trów i dłu­goś­ci mie­rzo­nej w met­rach, na pew­no wa­lec ten bę­dzie za­wie­rał za­nie­czysz­cze­nia roz­ło­żo­ne we wnęt­rzu w spo­sób lo­so­wy.

Aby go oczy­ścić, pod­grze­wa się go i wpra­wia w ruch wi­ro­wy wzdłuż je­go osi. W wy­so­kich tem­pe­ra­tu­rach krzem na­by­wa włas­ność umoż­li­wia­ją­cą ob­cym cząst­kom prze­miesz­cza­nie się (mig­ro­wa­nie) we wnęt­rzu je­go struk­tu­ry. Tę ce­chę wy­ko­rzys­tu­je się do oczy­szcza­nia krysz­ta­łu. Pod wpły­wem si­ły od­środ­ko­wej za­nie­czysz­cze­nia prze­mie­szcza­ją się w kie­run­ku od osi wal­ca ku je­go ścia­nom ze­wnętrz­nym, któ­re nie­ustan­nie są skra­wa­ne by usu­nię­ciu ule­ga­ły naj­bar­dziej za­nie­czysz­czo­ne ob­sza­ry (któ­re mo­gą stać się w dal­szej obrób­ce źród­łem za­nie­czysz­czeń mi­gru­ją­cych z kolei do środ­ka).

Walec i wafle krzemoweW ko­lej­nym kro­ku wa­lec ten jest cię­ty na plas­try o gru­boś­ci mie­rzo­nej w mik­ro­met­rach i śred­ni­cy od kil­ku do kil­ku­na­stu cen­ty­me­trów. Pewnie do­myś­lasz się, że we­wnętrz­ne par­tie uzys­ka­ne­go waf­la krze­mo­we­go (tak się bo­wiem na­zy­wa te plas­try, ang. sili­con wafer) są naj­czyst­sze, gdyż w cza­sie wi­ro­wa­nia nie do­cie­ra­ły tam ob­ce cząs­tecz­ki, a wcześ­niej tam obec­ne mig­ro­wa­ły do zew­nętrz­nych partii. Im bli­żej kra­wę­dzi, tym bar­dziej za­nie­czysz­czo­na jest struk­tu­ra krysz­ta­łu.

W dal­szych eta­pach pro­duk­cji ukła­du sca­lo­ne­go waf­le są po­kry­wa­ne war­stwa­mi do­mie­szek, roz­wi­ro­wy­wa­nych po po­wierz­chni i wta­pia­nych w głąb waf­la pod wpły­wem wy­so­kiej tem­pe­ra­tu­ry, po­dob­nie jak przy usu­wa­niu za­nie­czysz­czeń, oraz warstw mas­ku­ją­cych SiO2, two­rzo­nych rów­nież w wy­so­kiej tem­pe­ra­tu­rze w obec­no­ści pa­ry wod­nej. Wybiórcze wy­tra­wia­nie ma­sek i roz­wi­ro­wy­wa­nie i wta­pia­nie ko­lej­nych warstw do­mie­szek po­zwa­la stwo­rzyć ob­sza­ry skła­do­we tran­zy­sto­rów. Na ko­niec na­kła­da się na wa­fel war­stwy me­ta­li­za­cji (alu­mi­nium lub mie­dzi) łą­czą­ce po­szcze­gól­ne sil­nie do­miesz­ko­wa­ne ob­sza­ry kon­tak­to­we krze­mu i two­rzą­ce wy­pro­wa­dze­nia umoż­li­wia­ją­ce pod­łą­cze­nie płyt­ki krze­mo­wej do sty­ków obu­do­wy ukła­du.

Wafel krzemowy z wytrawionymi układami scalonymi

Ostatnim, new­ral­gicz­nym eta­pem obrób­ki waf­la krze­mo­we­go jest cię­cie go wzdłuż i wszerz na ma­lut­kie pro­sto­kąt­ne ukła­dy sca­lo­ne. Układy znaj­du­ją­ce się na sa­mej kra­wę­dzi waf­la od ra­zu wę­dru­ją do ko­sza, gdyż nie zmieś­ci­ły się w je­go ob­ry­sie i są nie­kom­plet­ne. Kolejna kon­cen­trycz­na par­tia bę­dzie cha­rak­te­ry­zo­wa­ła się naj­gor­szy­mi pa­ra­me­tra­mi, gdyż znaj­du­je się w naj­bar­dziej za­nie­czysz­czo­nym ob­sza­rze waf­la. I tak da­lej z co­raz lep­szą ja­koś­cią w kie­run­ku ku środ­ko­wi waf­la, gdzie znaj­du­je się kil­ka pro­duk­tów ideal­nych: ukła­dów za­wie­ra­ją­cych tyl­ko krys­ta­licz­ny krzem i ato­my do­mie­szek wtrą­co­ne w je­go struk­tu­rę, z drob­niut­ki­mi co naj­wy­żej za­nie­czysz­cze­nia­mi. Te ukła­dy bę­dą mia­ły naj­wyż­sze pa­ra­met­ry, praw­do­po­dob­nie prze­wyż­sza­ją­ce na­wet moż­li­woś­ci mo­de­lu mi­kro­pro­ce­so­ra o naj­wyż­szym ozna­cze­niu, znaj­du­ją­ce­go się w da­nym okre­sie na ryn­ku.

Widzisz już chy­ba, że w ra­mach tej sa­mej se­rii, wy­pro­du­ko­wa­nej w jed­nym pro­ce­sie i praw­do­po­dob­nie no­szą­cej je­den nu­mer, moż­li­woś­ci ukła­dów bę­dą bar­dzo róż­ne. Te ze środ­ka zo­sta­ną wrzu­co­ne do za­sob­ni­ka ukła­dów pre­de­sty­no­wa­nych do ro­li naj­szyb­szych, a te z brze­gu do za­sob­ni­ka prze­zna­czo­ne­go na ry­nek ukła­dów wol­nych i ta­nich. Każdy z nich zo­sta­nie jesz­cze prze­te­sto­wa­ny, by do klienta nie tra­fił układ nie speł­nia­ją­cy pa­ra­met­rów po­da­wa­nych przez pro­du­cen­ta: je­że­li pro­ce­sor dzia­ła pra­wid­ło­wo przy niż­szej częs­to­tli­woś­ci tak­to­wa­nia, zo­sta­nie sprze­da­ny z niż­szym ozna­cze­niem, zaś jeś­li nie dzia­ła w ogó­le, zo­sta­nie po pros­tu wy­rzu­co­ny.

Jakże tu du­żo moż­li­woś­ci wpły­wa­nia na ja­kość pro­duk­cji! W za­leż­noś­ci od ja­koś­ci wal­ca krze­mo­we­go i za­war­toś­ci za­nie­czysz­czeń, ukła­dy z brze­gu mo­gą być bar­dzo mar­ne i wszyst­kie zo­sta­ną sprze­da­ne z naj­niż­szy­mi ozna­cze­nia­mi, lub mo­gą być wy­jąt­ko­wej ja­koś­ci i mi­mo ozna­cze­nia nie­naj­wyż­szym nu­me­rem mo­de­lu mo­gą skry­wać w so­bie wiel­ki po­ten­cjał, cze­ka­ją­cy tyl­ko na wy­ko­rzys­ta­nie przez użyt­kow­ni­ka. Ponie­waż ca­łe se­rie ukła­dów pro­du­ko­wa­ne są z jed­nej do­sta­wy waf­li krze­mo­wych, zna­jo­mość nu­me­ru se­rii (ty­god­nia pro­duk­cji) po­zwa­la ku­pu­ją­ce­mu wy­kryć pro­ce­so­ry wy­pro­du­ko­wa­ne na lep­szych waf­lach i zy­skać szan­sę, że za­ku­pio­ny układ bę­dzie się pod­krę­cał le­piej niż in­ne.

Walce krzemoweNie od pierw­sze­go waf­la ukła­dy sca­lo­ne scho­dzą z taś­my pro­duk­cyj­nej w ideal­nej for­mie i mo­gą być se­gre­go­wa­ne w za­leż­noś­ci od miej­sca na waf­lu, ja­kie zaj­mu­ją. Proces pro­duk­cyj­ny jest dłu­go­trwa­ły (za­peł­nie­nie jed­ne­go waf­la trwa ca­łe ty­god­nie; oczy­wiś­cie po­nie­waż pro­duk­cja jest taś­mo­wa, peł­ne waf­le go­to­we są w znacz­nie krót­szych od­stę­pach cza­su), a urzą­dze­nia na po­cząt­ku wca­le nie mu­szą być ideal­nie ska­lib­ro­wa­ne. Pierwszych pa­rę waf­li naj­pew­niej nie na­da­je się w ogó­le do ni­cze­go (i in­ży­nie­ro­wie nad­zo­ru­ją­cy pro­duk­cję mu­szą sko­ry­go­wać na­sta­wy osprzę­tu) a ko­lej­nych kil­ka za­wie­ra tyl­ko kil­ka lub kil­ka­naś­cie spraw­nych ukła­dów (znów nie­zbęd­ne są ko­rek­ty). Im dłu­żej trwa pro­duk­cja jed­ne­go ty­pu ukła­du na da­nej linii, tym lep­sze sta­ją się pro­du­ko­wa­ne sca­la­ki i tym wię­cej spraw­nych ukła­dów uzys­ku­je się z jed­ne­go waf­la (jest to tak zwa­ny uzysk). Jakiekol­wiek prze­no­si­ny czy zmia­na pro­du­ko­wa­ne­go mo­de­lu ozna­cza ko­niecz­ność ka­lib­ro­wa­nia sprzę­tu od no­wa.

To, czy kon­kret­ny eg­zem­plarz mi­kro­pro­ce­so­ra bę­dzie po­dat­ny na pod­krę­ca­nie za­le­ży nie tyl­ko od wzglę­dów tech­no­lo­gicz­nych, ale rów­nież od ryn­ku. Produkcja ukła­dów sca­lo­nych kosz­tu­je ty­le sa­mo nie­za­leż­nie od te­go, czy efek­tem jest układ o częs­to­tli­woś­ci tak­to­wa­nia 100 MHz, czy 3 GHz. Liczy się tyl­ko licz­ba warstw do­mie­szek i me­ta­li­za­cji oraz po­wierz­chnia po­je­dyn­cze­go ukła­du: im więk­sza, tym więk­sze ry­zy­ko, że za­nie­czysz­cze­nie unie­moż­li­wi po­praw­ne dzia­ła­nie wy­pro­du­ko­wa­ne­go ukła­du. Ponie­waż naj­szyb­sze pro­ce­so­ry kosz­tu­ją naj­wię­cej i nie zaw­sze pro­du­cent znaj­du­je dla nich od­po­wied­nio chłon­ny ry­nek zby­tu, ma­ga­zy­ny mo­gą zo­stać za­peł­nio­ne cze­ka­ją­cy­mi na sprze­daż szyb­ki­mi mo­de­la­mi, a nag­lą­ca sta­je się po­trze­ba zwięk­sze­nia pro­duk­cji ukła­dów tań­szych, na któ­rych zysk jed­nost­ko­wy nie jest mo­że du­ży, ale moż­na prze­cież za­ro­bić rów­nież po­przez du­ży obrót. Cóż ro­bić: kie­row­ni­ctwo za­rzą­dza, że ca­ła li­nia ma pro­du­ko­wać je­dy­nie ukła­dy o okreś­lo­nym mak­sy­mal­nym ozna­cze­niu i na­wet ukła­dy znaj­du­ją­ce się na środ­ku waf­la opi­sa­ne zo­sta­ną nie sym­bo­lem 3400, ale na przy­kład 2600. Cóż za okaz­ja dla „pod­krę­ca­cza”! Niestety, nie da się spraw­dzić, z któ­re­go miej­sca waf­la po­cho­dzi kon­kret­ny eg­zem­plarz mi­kro­pro­ce­so­ra.

Z cza­sem no­wy mo­del pro­ce­so­ra sta­je się zna­ny i po­wszech­nie do­stęp­ny, ta­nie­je w za­stra­sza­ją­cym tem­pie, a użyt­kow­ni­cy do­ma­ga­ją się co­raz szyb­szych od­mian. Architek­tu­ra każ­de­go mi­kro­pro­ce­so­ra ma jed­nak swo­je ogra­ni­cze­nia i nie­moż­li­we jest, na­wet przy za­ło­że­niu naj­wyż­szej ja­koś­ci ma­teria­łów oraz ideal­nej ka­li­brac­ji urzą­dzeń, prze­sko­cze­nie ba­rie­ry wy­zna­cza­nej przez czas pro­pa­gac­ji zmia­ny syg­na­łu lo­gicz­ne­go przez je­den etap po­to­ku pro­ce­so­ra. Ponie­waż tech­no­lo­gia pro­duk­cji zbli­ży­ła się po dłu­gim cza­sie wy­twa­rza­nia jed­ne­go mo­de­lu do do­sko­na­ło­ści, pra­wie wszyst­kie pro­du­ko­wa­ne i sprze­da­wa­ne ukła­dy są w sta­nie pra­co­wać z częs­to­tli­woś­cią bli­ską tej mak­sy­mal­nej i są ta­nie (gdyż uzysk jest wy­so­ki). W ta­kiej sytu­acji ukła­dów nie da się już „pod­krę­cić” ani za­bie­ga­mi pro­du­cen­ta, ani użyt­kow­ni­ka: wszyst­kie są rów­nie do­bre, ozna­czo­ne rów­nie wy­so­kim nu­mer­kiem i nie mo­gą prze­kro­czyć tej sa­mej gra­ni­cy częs­to­tli­woś­ci tak­to­wa­nia nie­za­leż­nie od te­go, czy pro­du­cent po­pra­wi nie­co pro­ces pro­duk­cyj­ny lub zwięk­szy no­mi­nal­ne na­pię­cie za­si­la­nia, czy użyt­kow­nik po­pra­wi chło­dze­nie i zwięk­szy na­pię­cia po­nad nor­mę. Z ta­ką sytua­cją mie­liś­my do czy­nie­nia na przy­kład pod ko­niec pro­duk­cji ukła­dów AMD K6, a je­dy­nym spo­so­bem jej roz­wią­za­nia jest dras­tycz­na zmia­na pro­ce­su pro­duk­cyj­ne­go (na przy­kład przej­ście na mniej­szy wy­miar tech­no­lo­gicz­ny) lub archi­tek­tu­ry pro­ce­so­rów (któ­rą to dro­gę wy­bra­ła fir­ma AMD, pro­jek­tu­jąc pro­ce­sor Athlon).

Mam na­dzie­ję, że po­wyż­szy ar­ty­kuł roz­sze­rzył Two­ją wie­dzę na te­mat pro­ce­su wy­twa­rza­nia mi­kro­pro­ce­so­rów oraz roz­wiał wąt­pli­wo­ści do­ty­czą­ce przy­czyn róż­nych moż­li­woś­ci ko­lej­nych se­rii i eg­zem­pla­rzy ukła­dów. Wniosek mo­że być tyl­ko je­den: choć moż­na do­brać se­rię pro­ce­so­ra da­ją­cą na­dzie­ję spek­ta­ku­lar­nych re­zul­ta­tów pod­krę­ce­nia, nie moż­na być pew­nym moż­li­woś­ci kon­kret­ne­go eg­zem­pla­rza pro­ce­so­ra pó­ki sa­me­mu nie spró­bu­je się „wy­cis­nąć” z nie­go ile się tyl­ko da. Nie wol­no za­tem do­ko­ny­wać za­ku­pu nie­wy­dol­nej jed­nost­ki cen­tral­nej z myś­lą o pod­nie­sie­niu jej moż­li­woś­ci przez pod­krę­ce­nie: pro­ce­sor po­wi­nien wy­star­czać użyt­kow­ni­ko­wi na­wet przy no­mi­nal­nych na­sta­wach, a pod­krę­ce­nie na­le­ży trak­to­wać ja­ko „gra­tis”, mi­łą nie­spo­dzian­kę spra­wio­ną klien­to­wi przez pro­du­cen­ta.


Hmmmmm...
do tej pory sądziłem że procek zajmuje dajmy na to kilka CM2
a grubośc płytki krzemowej to milimetr lub coś koło tego
Pierwszy raz usłyszałem że jaki kolwiek układ mozna zrobić na krzemie grubości kilku mikrometrów..
chyba że "W kolejnym kroku walec ten cięty jest na plastry o mierzonej w mikrometrach grubości i średnicy od kilku do kilkunastu centymetrów"
te mikrometry to np 1000000mikrometrów:DDD

mała gafa ale wprowadza zamieszanie :D

Zdrówka
Grubość wafla krzemowego to od 600 do 900 mikrometrów. Po obróbce pełnej (wytworzenie układu, nałożenie warstw ochronnych) dochodzi gdzieś do 1.5 milimetra.
Swoją drogą, wytworzone struktury tranzystorowe o ile pamiętam zajmują nikły procent grubości wafla.
Dwa uzupełnienia:

1. wielkim problemem w produkcji monokryształów krzemu są nie tylko zanieczyszczenia, ale również defekty struktury krystalicznej
2. metodę produkcji monokryształów wynalazł Polak Czochralski; jest to chyba największy wkład Polski w rozwój technologii komputerowej w ogóle.